胚胎學/植入
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胚胎學 |
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胚泡逐漸埋入子宮內膜的過程稱植入(implantation),又稱著床(imbed)。植入約於受精後第5~6天起始,第11~12天完成。植入時,內細胞群側的滋養層先與子宮內膜接觸,並分泌蛋白酶消化與其接觸的內膜組織,胚泡則沿著被消化組織的缺口逐漸埋入內膜功能層。在植入過程中,與內膜接觸的滋養層細胞迅速增殖,滋養層增厚,並分化為內、外兩層。外層細胞間的細胞界線消失,稱合體滋養層(syncytiotrophoblast);內層由單層立方細胞組成,稱細胞滋養層(cytotrophoblast)。後者的細胞通過細胞分裂使細胞數目不斷增多,並補充合體滋養層。胚泡全部植入子宮內膜後,缺口修復,植入完成。這時整個滋養層均分化為兩層,合體滋養層內出現腔隙,期內含有母體血液(圖20-5)。
圖20-5 植入過程
A.植入早期(第7天)B.第8天 C.植入後期(第9天) D.植入完成(第12天)
植入時的子宮內膜處於分泌期,植入後血液供應更豐富,腺體分泌更旺盛,基質細胞變肥大,富含糖原和脂滴,內膜進一步增厚。子宮內膜的這些變化稱蛻膜反應,此時的子宮內膜稱蛻膜(decidua)。根據蛻膜與胚的位置關係,將其分為三部分:①基蛻膜(decidua basalis),是位居胚深部的蛻膜;②包蛻膜(decidua capsularis),是覆蓋在胚宮腔側的蛻膜;③壁蛻膜(decidua parietalis),是子宮其餘部份的蛻膜(圖20-6)。
圖20-6 胚胎與子宮蛻膜的關係 E 胚胎
胚泡的植入部位通常在子宮體和底部,最多見於後壁。若植入位於近子宮頸處,在此形成胎盤,稱前置胎盤(placenta previa),分娩時胎盤可堵塞產道,導致胎兒娩出困難。若植入在子宮以外部位,稱宮外孕(ectopic pregnancy),常發生在輸卵管,偶見於子宮濶韌帶、腸系膜,甚至卵巢表面等處(圖20-7)。宮外孕胚胎多早期死亡。
圖20-7 異位植入
胚泡的植入是以母體性激素的正常分泌使子宮內膜保持在分泌期為基礎的,透明帶消失和胚泡適時進入宮腔是植入的條件。若母體內分泌紊亂或內分泌受藥物干擾,子宮內膜周期性變化則與胚泡的發育不同步,子宮內膜有炎症或有避孕環等導物,均可阻礙胚泡的植入。
人卵體外受精(fertilization in vitro,VIF)技術建立於1969年。用IVF技術獲得的受精卵在體外發育到桑椹胚或早期胚泡,再移植到子宮內的技術稱胚胎移植(embryo transfer,ET)。應用IVF和ET技術於1978年誕生了第一例「試管嬰兒」(test tube baby),我國大陸於1988年春天誕生了首例「試管嬰兒」。IVF和ET技術的開展,可以解決因輸卵管堵塞而不能懷孕婦女的生育問題。目前,體外受精獲得的早期人胚,經冷凍保存後再移植入子宮的胚胎也獲得成活。
參看
植入和胚層形成 | 胚層形成 |
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