抑制性突觸後電位
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抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突觸前膜釋放抑制性遞質(抑制性中間神經元釋放的遞質),導致突觸後膜主要對Cl-通透性增加,Cl-內流產生局部超極化電位。
特點:(1)突觸前膜釋放遞質是Ca2+內流引發的;(2)遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的;(3)IPSP是局部電位,而不是動作電位;(4)IPSP是突觸後膜離子通透性變化所致,與突觸前膜無關。
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出自A+醫學百科 「抑制性突觸後電位」條目 http://cht.a-hospital.com/w/%E6%8A%91%E5%88%B6%E6%80%A7%E7%AA%81%E8%A7%A6%E5%90%8E%E7%94%B5%E4%BD%8D 轉載請保留此連結
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