抑制性突觸後電位

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抑制性突觸後電位(Inhibitory postsynaptic potential, IPSP)是突觸前膜釋放抑制性遞質(抑制性中間神經元釋放的遞質),導致突觸後膜主要對Cl-通透性增加,Cl-內流產生局部超極化電位

特點:(1)突觸前膜釋放遞質是Ca2+內流引發的;(2)遞質是以囊泡的形式以出胞作用的方式釋放出來的;(3)IPSP是局部電位,而不是動作電位;(4)IPSP是突觸後膜離子通透性變化所致,與突觸前膜無關。

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